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BEHLKE高壓開關(guān)二極管組件HTS 31-06-C
播放：102 上傳時間：2021-11-02德國BEHLKE是高壓功率半導(dǎo)體堆棧的全球市場。BEHLKE生產(chǎn)的高壓固態(tài)開關(guān)高可達(dá)200kV交流和直流單開關(guān)或橋式配置,。 BEHLKE擁有600多種標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)和脈沖發(fā)生器的產(chǎn)品系列基于高度靈活的設(shè)計,。 因此，BEHLKE可以進(jìn)行大量的技術(shù)改進(jìn),，以及完整的定制解決方案,。
產(chǎn)品分類：BEHLKE高壓開關(guān)、BEHLKE高壓脈沖單元,、BEHLKE快速恢復(fù)高壓二極管組件
1,，behlke HTS-SCR系列高壓脈沖開關(guān)
電流，取決于開關(guān),，SCR晶閘管,。 千安應(yīng)用，充放電,，撬棍,。
2，behlke HTS 50-05系列高壓開關(guān)
開關(guān),，固定導(dǎo)通時間,，標(biāo)準(zhǔn)MOSFET,。一般脈沖應(yīng)用，充電和放電,，脈沖電場,。
3，behlke HTS-F系列快速固態(tài)開關(guān)
開關(guān),，固定導(dǎo)通時間,， 高di / dt，MOSFET,。高電流,，高頻率，出色的突發(fā)能力,，快速充電和放電,。
4，behlke HTS-UF系列超快速高壓開關(guān)
開關(guān),，固定導(dǎo)通時間,，超快 MOSFET 。高電流,，高di / dt ,，低頻至中頻，超快充電和放電,。
5,，behlke HTS 60-24-B高壓開關(guān)
開關(guān)，固定導(dǎo)通時間,，低導(dǎo)通電阻,，Trench-FET。 高電流,，以中等速度充電和放電,。
6，behlke HTS 31-06系列經(jīng)濟(jì)型高壓脈沖開關(guān)
開關(guān),，可變導(dǎo)通時間,，標(biāo)準(zhǔn)MOSFET。 一般脈沖和開關(guān)應(yīng)用,，上升時間快,，頻率高。
7,，BEHLKE HTS 31-80型高壓開關(guān)
開關(guān),，可變導(dǎo)通時間，高di / dt,，MOSFET,。 高電流,，頻率適中,，上升時間短,。
8，BEHLKE HTS-LC型高壓開關(guān)
開關(guān),，可變導(dǎo)通時間,，低電容，MOSFET,。 低耦合電容,。LC2拓?fù)渚哂谐錾乃矐B(tài)抗擾性。
9,，BEHLKE HTS-SIC 碳化硅系列多功能高壓開關(guān)
開關(guān),，可變導(dǎo)通時間，低導(dǎo)通電阻,，碳化硅FET和Trench-FET,。 高電流，低導(dǎo)通損耗
10,，behlke HTS AC-C型高壓開關(guān)
開關(guān),，可變導(dǎo)通時間，AC MOSFET,。雙向雙向開關(guān),。＆否。電壓無極變化,。AC高達(dá)5 MHz,。
常見型號：
behlke HTS 800-10
behlke HTS 400-12-F
behlke HTS 361-200-FI
behlke HTS 400-12
behlke HTS 361-200-FI
behlke HTS 31-06-C
behlke HTS 241-60-Sic
behlke HTS 500-80
behlke HTS 401-80-LC2
behlke HTS 180-48-B
behlke HTS 30-06-UF
behlke HTS 80-06
behlke HTS 60-500-SCR
behlke HTS 301-03-GSM
behlke HTS 301-10-GSM
behlke HTS 701-10-GSM
behlke HTS 901-10-GSM
behlke HTS 1201-10-GSM
behlke HTS 1201-20-GSM
behlke HTS 1401-20-GSM
behlke HTS 701-120-LC2
behlke HTS 320-200-SCR
behlke HTS 350-800-SCR
產(chǎn)品代碼：型號包含有關(guān)電壓、電流和導(dǎo)通行為的編碼信息,。個數(shù)字代表電壓,，單位為kV，破折號前的后一個數(shù)字表示開啟行為(0=固定開啟時間,，1=可變開啟時間),。破折號后面的數(shù)字表示電流，單位為安培x10,。特殊功能由第二個破折號后的字母編碼,。示例HTS 61-15-SiC:HTS=高壓晶體管開關(guān)，6=6 kV,，1=可變導(dǎo)通時間,，120=1200安培，SiC=碳化硅(或B=低導(dǎo)通電阻溝槽場效應(yīng)晶體管)
